BSM250D17P2E004
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
BSM250D17P2E004

BSM250D17P2E004

DigiKey-Teilenr.
BSM250D17P2E004-ND
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
BSM250D17P2E004
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1700V 250A MODULE
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1700V (1,7kV) 250 A (Tc) 1800W (Tc) Chassisbefestigung Modul
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Box
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
2 N-Kanal (Halbbrücke)
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1700V (1,7kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
250 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
-
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 66mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
30000pF bei 10V
Leistung - Max.
1800W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle
Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten
Modul
Basis-Produktnummer
BSM250
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