BSM300D12P4G101
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BSM300D12P4G101

DigiKey-Teilenr.
846-BSM300D12P4G101-ND
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
BSM300D12P4G101
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 291A MODULE
Standardlieferzeit des Herstellers
24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 291A (Tc) 925W (Tc) Chassisbefestigung Modul
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Box
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
291A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
-
Vgs(th) (max.) bei Id
4,8V bei 145,6mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
30000pF bei 10V
Leistung - Max.
925W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle
Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten
Modul
Basis-Produktnummer
BSM300
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