BSM300D12P4G101
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
BSM300D12P4G101

BSM400D12P2G003

DigiKey-Teilenr.
846-BSM400D12P2G003-ND
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
BSM400D12P2G003
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 400A MODULE
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 400 A (Tc) 2450W (Tc) Modul
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
2 N-Kanal (Halbbrücke)
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
400 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
-
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 85mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
38000pF bei 10V
Leistung - Max.
2450W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Gehäuse / Hülle
Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten
Modul
Basis-Produktnummer
BSM400
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