MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 400 A (Tc) 2450W (Tc) Modul
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MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 400 A (Tc) 2450W (Tc) Modul
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM400D12P2G003

DigiKey-Teilenr.
846-BSM400D12P2G003-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
BSM400D12P2G003
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 400A MODULE
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 400 A (Tc) 2450W (Tc) Modul
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 85mA
Hersteller
Rohm Semiconductor
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
38000pF bei 10V
Verpackung
Lose im Beutel
Leistung - Max.
2450W (Tc)
Status der Komponente
Aktiv
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Gehäuse / Hülle
Modul
Konfiguration
2 N-Kanal (Halbbrücke)
Gehäusetyp vom Lieferanten
Modul
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Basis-Produktnummer
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
400 A (Tc)
Umwelt- und Exportklassifikationen
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