Name: BSM600D12P4G103
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-BSM600D12P4G103-ND
Price: 1019.61001 CHF
Availability: InStock

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BSM600D12P4G103
DigiKey-Teilenr.	846-BSM600D12P4G103-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	BSM600D12P4G103
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 1200V 567A MODULE
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 567A (Tc) 1780W (Tc) Chassisbefestigung Modul
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Vgs(th) (max.) bei Id 4,8V bei 291,2mA
Hersteller Rohm Semiconductor	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 59000pF bei 10V
Verpackung Box	Leistung - Max. 1780W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Technologie Siliziumkarbid (SiC)	Montagetyp Chassisbefestigung
Konfiguration 2 N-Kanal (zweifach)	Gehäuse / Hülle Modul
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V (1,2kV)	Gehäusetyp vom Lieferanten Modul
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 567A (Tc)	Basis-Produktnummer BSM600

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