Name: HP8M31TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: HP8M31TB1TR-ND
Price: 2.57278 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

HP8M31TB1
DigiKey-Teilenr.	HP8M31TB1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) HP8M31TB1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) HP8M31TB1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	HP8M31TB1
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP
Standardlieferzeit des Herstellers	21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 60V 8,5 A (Ta) 3W (Ta) Oberflächenmontage 8-HSOP
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	HP8M31TB1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	N- und P-Kanal
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	8,5 A (Ta)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	65mOhm bei 8,5A, 10V, 70mOhm bei 8,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	12,3nC bei 10V, 38nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	470pF bei 30V, 2300pF bei 30V
Leistung - Max.	3W (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-HSOP
Basis-Produktnummer	HP8M31