Name: HP8MC5TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-HP8MC5TB1TR-ND
Price: 1.70798 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

HP8MC5TB1
DigiKey-Teilenr.	846-HP8MC5TB1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 846-HP8MC5TB1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 846-HP8MC5TB1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	HP8MC5TB1
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8HSOP
Standardlieferzeit des Herstellers	21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 60V 4,5A (Ta), 12A (Tc), 5A (Ta), 12A (Tc) 3W (Ta), 20W (Tc) Oberflächenmontage 8-HSOP
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	N- und P-Kanal
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4,5A (Ta), 12A (Tc), 5A (Ta), 12A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	90mOhm bei 4,5A, 10V, 96mOhm bei 5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	3,1nC bei 10V, 17,3nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	135pF bei 30V, 850pF bei 30V
Leistung - Max.	3W (Ta), 20W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-HSOP