TO-220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
TO-220-3

R6007ENX

DigiKey-Teilenr.
R6007ENX-ND
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
R6007ENX
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 7 A (Tc) 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
R6007ENX Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
7 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
620mOhm bei 2,4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
390 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
40W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220FM
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer
R6007
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Menge
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
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10Fr. 0.83200Fr. 8.32
100Fr. 0.80250Fr. 80.25
500Fr. 0.79400Fr. 397.00
Standardverpackung des Herstellers
Stückpreis ohne MwSt.:Fr. 1.25000
Stückpreis mit MwSt.:Fr. 1.35125