



R6009ENX | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | R6009ENX-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | R6009ENX |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 9 A (Tc) 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | R6009ENX Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 1mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 23 nC @ 10 V |
Verpackung Lose im Beutel | Vgs (Max.) ±20V |
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 430 pF @ 25 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 40W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220FM |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 535mOhm bei 2,8A, 10V | Basis-Produktnummer |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FCPF600N60Z | onsemi | 624 | FCPF600N60Z-ND | Fr. 2.52000 | Ähnlich |
| SPA11N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | 1’613 | 448-SPA11N80C3XKSA1-ND | Fr. 2.71000 | Ähnlich |
| STF11N60DM2 | STMicroelectronics | 1’322 | 497-16960-ND | Fr. 1.83000 | Ähnlich |
| STP11NM60FDFP | STMicroelectronics | 120 | 497-5392-5-ND | Fr. 5.32000 | Ähnlich |
| TK8A60W,S4VX | Toshiba Semiconductor and Storage | 34 | TK8A60WS4VX-ND | Fr. 2.81000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.52000 | Fr. 3.52 |
| 10 | Fr. 2.32400 | Fr. 23.24 |
| 100 | Fr. 1.64560 | Fr. 164.56 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 3.52000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 3.80512 |

