N-Kanal 600 V 11 A (Tc) 53W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

R6011KNX

DigiKey-Teilenr.
R6011KNX-ND
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
R6011KNX
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 11 A (Tc) 53W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
R6011KNX Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
11 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
390mOhm bei 3,8A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
740 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
53W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220FM
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer
R6011
Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

Auf Lager: 337
Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen
Sobald der verfügbare Lagerbestand dieses Produkts erschöpft ist, gelten die Standardverpackung und die Lieferzeit des Herstellers. Ersatzartikel anzeigen.
Für neue Designs nicht empfohlen, Mindestbestellmengen eventuell erforderlich. Ersatzartikel anzeigen.
Menge
Alle Preise in CHF
Lose im Beutel
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 2.16000Fr. 2.16
10Fr. 1.39200Fr. 13.92
100Fr. 0.95610Fr. 95.61
Stückpreis ohne MwSt.:Fr. 2.16000
Stückpreis mit MwSt.:Fr. 2.33496