Name: R6012JNXC7G
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-R6012JNXC7G-ND
Price: 1.96742 CHF
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

R6012JNXC7G
DigiKey-Teilenr.	846-R6012JNXC7G-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	R6012JNXC7G
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 12 A (Tc) 60W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	390 mOhm bei 6A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	7V bei 2,5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	28 nC @ 15 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	900 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	60W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220FM
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	R6012

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 1.82000	Fr. 1.82
50	Fr. 1.73800	Fr. 86.90
100	Fr. 1.68910	Fr. 168.91
500	Fr. 1.47996	Fr. 739.98
1’000	Fr. 1.35921	Fr. 1’359.21
2’000	Fr. 1.34730	Fr. 2’694.60

Standardverpackung des Herstellers

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