N-Kanal 600 V 15 A (Tc) 60W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
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N-Kanal 600 V 15 A (Tc) 60W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
4th Gen Super Junction MOSFETs R60xxYNx
Presto MOS R600xVNx Series

R6015KNX

DigiKey-Teilenr.
R6015KNX-ND
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
R6015KNX
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 15 A (Tc) 60W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
Datenblatt
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Kategorie
Herst.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
15 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
290mOhm bei 6,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
27.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1050 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
60W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220FM
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer
R6015
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