R6020KNZ1C9 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

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R6020ENZ4C13
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

R6020KNZ1C9

DigiKey-Teilenr.
R6020KNZ1C9-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
R6020KNZ1C9
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 20 A (Tc) 231W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
R6020KNZ1C9 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
196mOhm bei 9,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1550 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
231W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247
Gehäuse / Hülle
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Obsolet
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