Name: R6022YNX3C16
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-R6022YNX3C16-ND
Price: 3.41596 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

R6022YNX3C16
DigiKey-Teilenr.	846-R6022YNX3C16-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	R6022YNX3C16
Beschreibung	NCH 600V 22A, TO-220AB, POWER MO
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 22 A (Tc) 205W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	22 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V, 12V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	165mOhm bei 6,5A, 12V
Vgs(th) (max.) bei Id	6V bei 1,8mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	33 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1400 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	205W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220AB
Gehäuse / Hülle	TO-220-3

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Menge

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 3.16000	Fr. 3.16
10	Fr. 2.17700	Fr. 21.77
100	Fr. 1.53320	Fr. 153.32
500	Fr. 1.25852	Fr. 629.26
1’000	Fr. 1.24171	Fr. 1’241.71

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