Name: R6070JNZ4C13
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-R6070JNZ4C13-ND
Price: 8.03183 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

R6070JNZ4C13
DigiKey-Teilenr.	846-R6070JNZ4C13-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	R6070JNZ4C13
Beschreibung	600V 70A TO-247, PRESTOMOS WITH
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 70 A (Tc) 770W (Tc) Durchkontaktierung TO-247G
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	70 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	58mOhm bei 35A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	7V bei 3mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	165 nC @ 15 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	6000 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	770W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247G
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	R6070

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30	Fr. 7.00733	Fr. 210.22
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