Name: RCD080N25TL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RCD080N25TLTR-ND
Price: 2.12957 CHF
Availability: OutOfStock

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RCD080N25TL
DigiKey-Teilenr.	RCD080N25TLTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RCD080N25TLCT-ND - Gurtabschnitt (CT) RCD080N25TLDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RCD080N25TL
Beschreibung	MOSFET N-CH 250V 8A CPT3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 250 V 8 A (Ta) 850mW (Ta), 20W (Tc) Oberflächenmontage CPT3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RCD080N25TL Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Nur verfügbar bis
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	250 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	8 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	300mOhm bei 4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1440 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	850mW (Ta), 20W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	CPT3
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	RCD080