TO-220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RCX080N25

DigiKey-Teilenr.
RCX080N25-ND
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
RCX080N25
Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 8A TO220FM
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 250 V 8 A (Tc) 2,23W (Ta), 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
RCX080N25 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
8 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
600mOhm bei 4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
840 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
2,23W (Ta), 35W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220FM
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer
RCX080
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Menge
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100Fr. 0.63050Fr. 63.05
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Standardverpackung des Herstellers
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