TO-220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RCX081N20

DigiKey-Teilenr.
RCX081N20-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
RCX081N20
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 8A TO220FM
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 8 A (Tc) 2,23W (Ta), 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
RCX081N20 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
770mOhm bei 4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5,25V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
8.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
330 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
2,23W (Ta), 40W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220FM
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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100Fr. 0.55930Fr. 55.93
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Standardverpackung des Herstellers
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