Name: RD3P02BATTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3P02BATTL1TR-ND
Price: 1.92418 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RD3P02BATTL1
DigiKey-Teilenr.	846-RD3P02BATTL1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 846-RD3P02BATTL1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 846-RD3P02BATTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RD3P02BATTL1
Beschreibung	PCH -100V -20A POWER MOSFET: RD3
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 100 V 20 A (Tc) 56W (Tc) Oberflächenmontage TO-252
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 1mA
Herst. Rohm Semiconductor	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 39 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1480 pF @ 50 V
FET-Typ P-Kanal	Verlustleistung (max.) 56W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 20 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-252
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 116mOhm bei 10A, 10V	Basis-Produktnummer RD3P02