Name: RGA80TSX2EHRC11
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RGA80TSX2EHRC11-ND
Price: 11.53427 CHF
Availability: InStock

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RGA80TSX2EHRC11
DigiKey-Teilenr.	846-RGA80TSX2EHRC11-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RGA80TSX2EHRC11
Beschreibung	IGBT TRENCH FS 1200V 105A TO247N
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Trench Feldstopp 1200 V 105 A 468 W Durchkontaktierung TO-247N
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Nicht für Neukonstruktionen
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	105 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	120 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2V bei 15V, 40A
Leistung - Max.	468 W
Schaltenergie	3,85mJ (Ein), 3,31mJ (Aus)
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	259 nC
Td (on/off) bei 25°C	94ns/344ns
Testbedingung	800V, 40A, 10Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)	372 ns
Betriebstemperatur	-40°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247N

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30	Fr. 6.46900	Fr. 194.07
120	Fr. 5.54908	Fr. 665.89
510	Fr. 5.36100	Fr. 2’734.11

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