Name: RGE60TS65DGC13
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RGE60TS65DGC13-ND
Price: 5.88064 CHF
Availability: InStock

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RGE60TS65DGC13
DigiKey-Teilenr.	846-RGE60TS65DGC13-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RGE60TS65DGC13
Beschreibung	5S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Trench Feldstopp 650 V 51 A 166 W Durchkontaktierung TO-247GE
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Nicht für Neukonstruktionen
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	51 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	90 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,05V bei 15V, 30A
Leistung - Max.	166 W
Schaltenergie	640µJ (Ein), 570µJ (Aus)
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	63 nC
Td (on/off) bei 25°C	40ns/114ns
Testbedingung	400V, 30A, 10Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)	166 ns
Betriebstemperatur	-40°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247GE

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30	Fr. 3.11767	Fr. 93.53
120	Fr. 2.60650	Fr. 312.78
510	Fr. 2.23200	Fr. 1’138.32
1’020	Fr. 2.21100	Fr. 2’255.22

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