Name: RGEX5TS65DGC13
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RGEX5TS65DGC13-ND
Price: 8.3237 CHF
Availability: InStock

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RGEX5TS65DGC13
DigiKey-Teilenr.	846-RGEX5TS65DGC13-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RGEX5TS65DGC13
Beschreibung	5S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Trench Feldstopp 650 V 102 A 306 W Durchkontaktierung TO-247GE
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Nicht für Neukonstruktionen
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	102 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	225 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,05V bei 15V, 75A
Leistung - Max.	306 W
Schaltenergie	3,63mJ (Ein), 1,74mJ (Aus)
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	162 nC
Td (on/off) bei 25°C	69ns/210ns
Testbedingung	400V, 75A, 10Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)	226 ns
Betriebstemperatur	-40°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247GE

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