Name: RGS80TSX2DHRC11
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RGS80TSX2DHRC11-ND
Price: 12.12882 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RGS80TSX2DHRC11
DigiKey-Teilenr.	846-RGS80TSX2DHRC11-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RGS80TSX2DHRC11
Beschreibung	IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247N
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Trench Feldstopp 1200 V 80 A 555 W Durchkontaktierung TO-247N
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	80 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	120 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,1V bei 15V, 40A
Leistung - Max.	555 W
Schaltenergie	3mJ (Ein), 3,1mJ (Aus)
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	104 nC
Td (on/off) bei 25°C	49ns/199ns
Testbedingung	600V, 40A, 10Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)	198 ns
Betriebstemperatur	-40°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247N
Basis-Produktnummer	RGS80

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 11.22000	Fr. 11.22
30	Fr. 6.83200	Fr. 204.96
120	Fr. 5.87133	Fr. 704.56
510	Fr. 5.72200	Fr. 2’918.22

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