Name: RGT30NS65DGC9
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RGT30NS65DGC9-ND
Price: 3.34029 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RGT30NS65DGC9
DigiKey-Teilenr.	RGT30NS65DGC9-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RGT30NS65DGC9
Beschreibung	IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-262
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Trench Feldstopp 650 V 30 A 133 W Durchkontaktierung TO-262
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	30 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	45 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,1V bei 15V, 15A
Leistung - Max.	133 W
Schaltenergie	-
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	32 nC
Td (on/off) bei 25°C	18ns/64ns
Testbedingung	400V, 15A, 10Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)	55 ns
Betriebstemperatur	-40°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-262-3 mit langen Pins, I2PAK, TO-262AA
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-262
Basis-Produktnummer	RGT30

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Menge

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 3.09000	Fr. 3.09
50	Fr. 1.56560	Fr. 78.28
100	Fr. 1.41850	Fr. 141.85
500	Fr. 1.16062	Fr. 580.31
1’000	Fr. 1.07778	Fr. 1’077.78
2’000	Fr. 1.03100	Fr. 2’062.00

Standardverpackung des Herstellers

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