Name: RGTH80TK65DGC11
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RGTH80TK65DGC11-ND
Price: 6.49681 CHF
Availability: InStock

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RGTH80TK65DGC11
DigiKey-Teilenr.	RGTH80TK65DGC11-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RGTH80TK65DGC11
Beschreibung	IGBT TRENCH FS 650V 31A TO-3PFM
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Trench Feldstopp 650 V 31 A 66 W Durchkontaktierung TO-3PFM
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Nicht für Neukonstruktionen
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	31 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	160 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,1V bei 15V, 40A
Leistung - Max.	66 W
Schaltenergie	-
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	79 nC
Td (on/off) bei 25°C	34ns/120ns
Testbedingung	400V, 40A, 10Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)	58 ns
Betriebstemperatur	-40°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-3PFM, SC-93-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-3PFM
Basis-Produktnummer	RGTH80

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30	Fr. 3.47133	Fr. 104.14
120	Fr. 2.91317	Fr. 349.58
510	Fr. 2.52300	Fr. 1’286.73

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