Name: RGTV80TS65DGC11
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RGTV80TS65DGC11-ND
Price: 6.52924 CHF
Availability: InStock

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RGTV80TS65DGC11
DigiKey-Teilenr.	846-RGTV80TS65DGC11-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RGTV80TS65DGC11
Beschreibung	IGBT TRENCH FS 650V 78A TO-247N
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Trench Feldstopp 650 V 78 A 234 W Durchkontaktierung TO-247N
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Nicht für Neukonstruktionen
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	78 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	160 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	1,9V bei 15V, 40A
Leistung - Max.	234 W
Schaltenergie	1,02mJ (Ein), 710µJ (Aus)
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	81 nC
Td (on/off) bei 25°C	39ns/113ns
Testbedingung	400V, 40A, 10Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)	101 ns
Betriebstemperatur	-40°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247N

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30	Fr. 3.49133	Fr. 104.74
120	Fr. 2.93075	Fr. 351.69
510	Fr. 2.54100	Fr. 1’295.91

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