Name: RGW80TS65DGC11
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RGW80TS65DGC11-ND
Price: 6.11846 CHF
Availability: InStock

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RGW80TS65DGC11
DigiKey-Teilenr.	RGW80TS65DGC11-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RGW80TS65DGC11
Beschreibung	IGBT TRENCH FS 650V 78A TO-247N
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Trench Feldstopp 650 V 78 A 214 W Durchkontaktierung TO-247N
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Nicht für Neukonstruktionen
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	78 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	160 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	1,9V bei 15V, 40A
Leistung - Max.	214 W
Schaltenergie	760µJ (Ein), 720µJ (Aus)
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	110 nC
Td (on/off) bei 25°C	44ns/143ns
Testbedingung	400V, 40A, 10Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)	92 ns
Betriebstemperatur	-40°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247N
Basis-Produktnummer	RGW80

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30	Fr. 3.25100	Fr. 97.53
120	Fr. 2.72217	Fr. 326.66
510	Fr. 2.33455	Fr. 1’190.62
1’020	Fr. 2.32800	Fr. 2’374.56

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