Name: RH6N040BHTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RH6N040BHTB1TR-ND
Price: 1.97823 CHF
Availability: InStock

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RH6N040BHTB1
DigiKey-Teilenr.	846-RH6N040BHTB1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 846-RH6N040BHTB1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 846-RH6N040BHTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RH6N040BHTB1
Beschreibung	NCH 80V 40A, HSMT8, POWER MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 65A (Ta), 40A (Tc) 2W (Ta), 59W (Tc) Oberflächenmontage 8-HSMT (3,2x3)
Datenblatt	Datenblatt

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	65A (Ta), 40A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	8,3mOhm bei 40A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1530 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2W (Ta), 59W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-HSMT (3,2x3)
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN

Stückpreis ohne MwSt.:	Fr. 1.83000
Stückpreis mit MwSt.:	Fr. 1.97823

RH6N040BHTB1