Name: RQ3E180AJTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E180AJTBTR-ND
Price: 1.45935 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RQ3E180AJTB
DigiKey-Teilenr.	RQ3E180AJTBTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RQ3E180AJTBCT-ND - Gurtabschnitt (CT) RQ3E180AJTBDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RQ3E180AJTB
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
Standardlieferzeit des Herstellers	21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 18 A (Ta), 30 A (Tc) 2W (Ta), 30W (Tc) Oberflächenmontage 8-HSMT (3,2x3)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RQ3E180AJTB Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	18 A (Ta), 30 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	2,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,5mOhm bei 18A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,5V bei 11mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	39 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4290 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2W (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-HSMT (3,2x3)
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer	RQ3E180