N-Kanal 30 V 39 A (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc) Oberflächenmontage 8-HSMT (3,2x3)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 30 V 39 A (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc) Oberflächenmontage 8-HSMT (3,2x3)
8 HSMT

RQ3E180BNTB

DigiKey-Teilenr.
RQ3E180BNTBTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
RQ3E180BNTBCT-ND - Gurtabschnitt (CT)
RQ3E180BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
RQ3E180BNTB
Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 30 V 39 A (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc) Oberflächenmontage 8-HSMT (3,2x3)
Datenblatt
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RQ3E180BNTB Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Herst.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
39 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
3,9mOhm bei 18A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
37 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3500 pF @ 15 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta), 20W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-HSMT (3,2x3)
Gehäuse / Hülle
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
RQ3E180
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Gurtabschnitt (CT)
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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Menge Stückpreis Gesamtpreis
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6’000Fr. 0.19516Fr. 1’170.96
9’000Fr. 0.18687Fr. 1’681.83
15’000Fr. 0.17756Fr. 2’663.40
21’000Fr. 0.17587Fr. 3’693.27
Standardverpackung des Herstellers
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