Name: RQ6G050ATTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ6G050ATTCRTR-ND
Price: 1.10262 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RQ6G050ATTCR
DigiKey-Teilenr.	846-RQ6G050ATTCRTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 846-RQ6G050ATTCRCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 846-RQ6G050ATTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RQ6G050ATTCR
Beschreibung	PCH -30V -5A POWER MOSFET - RQ6G
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 40 V 5 A (Ta) 950mW (Ta) Oberflächenmontage TSMT6 (SC-95)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RQ6G050ATTCR Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	5 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	40mOhm bei 5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1100 pF @ 20 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	950mW (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TSMT6 (SC-95)
Gehäuse / Hülle	SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
Basis-Produktnummer	RQ6G050