Name: RS1E180BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS1E180BNTR-ND
Price: 0.84318 CHF
Availability: InStock

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RS1E180BNTB
DigiKey-Teilenr.	846-RS1E180BNTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 846-RS1E180BNTBCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 846-RS1E180BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RS1E180BNTB
Beschreibung	MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 60 A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) Oberflächenmontage CPT3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RS1E180BNTB Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 1mA
Herst. Rohm Semiconductor	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 46 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2400 pF @ 15 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 25W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 60 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten CPT3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4,9mOhm bei 18A, 10V	Basis-Produktnummer RS1E

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Ersatzartikel (4)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
RS1E180BNTB	Rohm Semiconductor	1’204	846-RS1E180BNTBCT-ND	Fr. 0.78000	Parametrisches Äquivalent
CSD17310Q5A	Texas Instruments	10’162	296-25858-1-ND	Fr. 1.29000	Ähnlich
CSD17577Q3A	Texas Instruments	3’907	296-39995-1-ND	Fr. 0.80000	Ähnlich
CSD17581Q3A	Texas Instruments	144	296-47754-1-ND	Fr. 0.91000	Ähnlich

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RS1E180BNTB