Name: RS1E200GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1E200GNTBTR-ND
Price: 1.11343 CHF
Availability: InStock

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RS1E200GNTB
DigiKey-Teilenr.	RS1E200GNTBTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RS1E200GNTBCT-ND - Gurtabschnitt (CT) RS1E200GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RS1E200GNTB
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 20A (Ta), 57A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) Oberflächenmontage 8-HSOP
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RS1E200GNTB Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 1mA
Herst. Rohm Semiconductor	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 16.8 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1080 pF @ 15 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 25W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 20A (Ta), 57A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-HSOP
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4,6mOhm bei 20A, 10V	Basis-Produktnummer RS1E

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Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
BSC042N03LSGATMA1	Infineon Technologies	22’296	BSC042N03LSGATMA1CT-ND	Fr. 1.18000	Ähnlich

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