Name: RS1E220ATTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1E220ATTB1TR-ND
Price: 3.10247 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RS1E220ATTB1
DigiKey-Teilenr.	RS1E220ATTB1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RS1E220ATTB1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) RS1E220ATTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RS1E220ATTB1
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 22A/76A 8HSOP
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 30 V 22 A (Ta), 76 A (Tc) 3W (Ta) Oberflächenmontage 8-HSOP
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 2mA
Herst. Rohm Semiconductor	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 130 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 5850 pF @ 15 V
FET-Typ P-Kanal	Verlustleistung (max.) 3W (Ta)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 22 A (Ta), 76 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-HSOP
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4,1mOhm bei 22A, 10V	Basis-Produktnummer RS1E