Name: RS3E135BNGZETB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS3E135BNGZETBTR-ND
Price: 1.39449 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RS3E135BNGZETB
DigiKey-Teilenr.	RS3E135BNGZETBTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RS3E135BNGZETBCT-ND - Gurtabschnitt (CT) RS3E135BNGZETBDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RS3E135BNGZETB
Beschreibung	MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
Standardlieferzeit des Herstellers	21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 9,5 A (Ta) 2W (Tc) Oberflächenmontage 8-SOP
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RS3E135BNGZETB Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	9,5 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	14,6mOhm bei 9,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	8.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	680 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SOP
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Basis-Produktnummer	RS3E