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Parametrisches Äquivalent

TRS12E65F,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
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TO-220-2
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SCS112AGC

DigiKey-Teilenr.
SCS112AGC-ND
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
SCS112AGC
Beschreibung
DIODE SIL CARB 600V 12A TO220AC
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Dioden 600 V 12A Durchkontaktierung TO-220AC
Datenblatt
 Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
600 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
12A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.7 V @ 12 A
Geschwindigkeit
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
240 µA @ 600 V
Kapazität bei Vr, F
516pF bei 1V, 1MHz
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-220-2
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AC
Betriebstemperatur - Übergang
175°C (max.)
Basis-Produktnummer
SCS112
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Obsolet
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