Dioden 1200 V 5A Durchkontaktierung TO-220ACFP
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Dioden 1200 V 5A Durchkontaktierung TO-220ACFP
4th Gen SiC MOSFETs

SCS205KGC17

DigiKey-Teilenr.
846-SCS205KGC17-ND
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
SCS205KGC17
Beschreibung
DIODE SIC 1.2KV 5A TO220ACFP
Standardlieferzeit des Herstellers
21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Dioden 1200 V 5A Durchkontaktierung TO-220ACFP
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
1200 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
5A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.6 V @ 5 A
Geschwindigkeit
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
100 µA @ 1200 V
Kapazität bei Vr, F
270pF bei 1V, 1MHz
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-220-2
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220ACFP
Betriebstemperatur - Übergang
175°C
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Menge
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1Fr. 5.15000Fr. 5.15
50Fr. 2.53240Fr. 126.62
100Fr. 2.50860Fr. 250.86
500Fr. 2.26240Fr. 1’131.20
Standardverpackung des Herstellers
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