Dioden 650 V 12A Durchkontaktierung TO-220ACFP
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Dioden 650 V 12A Durchkontaktierung TO-220ACFP
4th Gen SiC MOSFETs

SCS212AGC17

DigiKey-Teilenr.
846-SCS212AGC17-ND
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
SCS212AGC17
Beschreibung
DIODE SIC 650V 12A TO220ACFP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Dioden 650 V 12A Durchkontaktierung TO-220ACFP
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
650 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
12A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.55 V @ 12 A
Geschwindigkeit
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
240 µA @ 600 V
Kapazität bei Vr, F
438pF bei 1V, 1MHz
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-220-2
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220ACFP
Betriebstemperatur - Übergang
175°C
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