Dioden 650 V 2,15A Durchkontaktierung TO-220ACP
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Dioden 650 V 2,15A Durchkontaktierung TO-220ACP
4th Gen SiC MOSFETs

SCS302AHGC9

DigiKey-Teilenr.
SCS302AHGC9-ND
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
SCS302AHGC9
Beschreibung
DIODE SIC 650V 2.15A TO220ACP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Dioden 650 V 2,15A Durchkontaktierung TO-220ACP
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
650 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
2,15A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.5 V @ 2 A
Geschwindigkeit
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
10.8 µA @ 650 V
Kapazität bei Vr, F
110pF bei 1V, 1MHz
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-220-2
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220ACP
Betriebstemperatur - Übergang
175°C (max.)
Basis-Produktnummer
SCS302
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