Name: SCT2H12NWBTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-SCT2H12NWBTL1TR-ND
Price: 4.82126 CHF
Availability: OutOfStock

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SCT2H12NWBTL1
DigiKey-Teilenr.	846-SCT2H12NWBTL1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 846-SCT2H12NWBTL1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 846-SCT2H12NWBTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	SCT2H12NWBTL1
Beschreibung	SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Standardlieferzeit des Herstellers	8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1700 V 3,9 A (Tc) 39W (Tc) Oberflächenmontage TO-263CA-7LSHYAD
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1700 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	3,9 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,5Ohm bei 1,1A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 410µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	24 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	197 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	39W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263CA-7LSHYAD
Gehäuse / Hülle	TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA