Name: SCT2H12NZGC11
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: SCT2H12NZGC11-ND
Price: 7.71834 CHF
Availability: OutOfStock

N-Kanal 1700 V 3,7 A (Tc) 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-3PFM

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SCT2H12NZGC11
DigiKey-Teilenr.	SCT2H12NZGC11-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	SCT2H12NZGC11
Beschreibung	SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1700 V 3,7 A (Tc) 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-3PFM
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 900µA
Herst. Rohm Semiconductor	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 14 nC @ 18 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) +22V, -6V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 184 pF @ 800 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 35W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1700 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 3,7 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-3PFM
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V	Gehäuse / Hülle TO-3PFM, SC-93-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,5Ohm bei 1,1A, 18V	Basis-Produktnummer SCT2H12

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