N-Kanal 650 V 30 A (Tc) 134W Durchkontaktierung TO-247N
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 650 V 30 A (Tc) 134W Durchkontaktierung TO-247N
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
AECQ SIC FET’s | Datasheet Preview

SCT3080ALHRC11

DigiKey-Teilenr.
SCT3080ALHRC11-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SCT3080ALHRC11
Beschreibung
SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 30 A (Tc) 134W Durchkontaktierung TO-247N
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
104mOhm bei 10A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
5,6V bei 5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
48 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+22V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
571 pF @ 500 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
134W
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Klasse
Automobiltechnik
Qualifizierung
AEC-Q101
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247N
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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