SCT3080KRC14 Rohm Semiconductor | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SCT3080KRC14
DigiKey-Teilenr.	846-SCT3080KRC14-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	SCT3080KRC14
Beschreibung	SICFET N-CH 1200V 31A TO247-4L
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 31 A (Tc) 165W Durchkontaktierung TO-247-4L
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SCT3080KRC14 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	31 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	104mOhm bei 10A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,6V bei 5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	60 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+22V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	785 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	165W
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-4L
Gehäuse / Hülle	TO-247-4
Basis-Produktnummer	SCT3080

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