TT8J2TR Rohm Semiconductor | Diskrete Halbleiterprodukte

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Rohm Semiconductor

Vorrätig: 2’501

Stückpreis : Fr. 1.71000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TT8J2TR
DigiKey-Teilenr.	TT8J2TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) TT8J2CT-ND - Gurtabschnitt (CT) TT8J2DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	TT8J2TR
Beschreibung	MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 8TSST
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 30V 2,5A 1,25W Oberflächenmontage 8-TSST
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TT8J2TR Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Obsolet
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 P-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	2,5A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	84mOhm bei 2,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	4,8nC bei 5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	460pF bei 10V
Leistung - Max.	1,25W
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-SMD, flache Anschlüsse
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-TSST
Basis-Produktnummer	TT8