US6X3TR Rohm Semiconductor | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

US6X3TR
DigiKey-Teilenr.	US6X3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	US6X3TR
Beschreibung	TRANS NPN 12V 3A TUMT6
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 12 V 3 A 360MHz 400 mW Oberflächenmontage TUMT6

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne bipolare transistoren
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
Transistor-Typ	NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	3 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	12 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	250mV bei 30mA, 1,5A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	100 nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	270 bei 500mA, 2V
Leistung - Max.	400 mW
Frequenz - Übergang	360MHz
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	6-SMD, flache Anschlüsse
Gehäusetyp vom Lieferanten	TUMT6
Basis-Produktnummer	US6X