
GCMS008C120S1-E1 | |
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DigiKey-Teilenr. | 1560-GCMS008C120S1-E1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | GCMS008C120S1-E1 |
Beschreibung | GEN3 1200V 8M SIC MOSFET & SBD |
Standardlieferzeit des Herstellers | 22 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 1200 V 189A (Tc) 536W (Tc) Chassisbefestigung SOT-227 |
Datenblatt | Datenblatt |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 18V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 12mOhm bei 100A, 18V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 40mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 506 nC @ 18 V | |
Vgs (Max.) | +22V, -8V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 14085 pF @ 1000 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 536W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Chassisbefestigung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | SOT-227 | |
Gehäuse / Hülle |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 33.67000 | Fr. 33.67 |
| 10 | Fr. 25.19900 | Fr. 251.99 |
| 100 | Fr. 23.06000 | Fr. 2’306.00 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 33.67000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 36.39727 |


