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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
GCMX080A120B2H1P | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 1560-GCMX080A120B2H1P-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | GCMX080A120B2H1P |
Beschreibung | MOSFET 4N-CH 1200V 27A |
Standardlieferzeit des Herstellers | 22 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 27 A (Tc) 119W (Tc) Chassisbefestigung |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Hersteller | SemiQ | |
Serie | - | |
Verpackung | Tablett | |
Status der Komponente | Aktiv | |
Technologie | Siliziumkarbid (SiC) | |
Konfiguration | 4 N-Kanal (Vollbrücke) | |
FET-Merkmal | - | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | 27 A (Tc) | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 100mOhm bei 20A, 20V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 10mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 56nC bei 20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1362pF bei 800V | |
Leistung - Max. | 119W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -40°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Chassisbefestigung | |
Gehäuse / Hülle | Modul | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | - |
Auf Lager: 8
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Menge
Alle Preise in CHF
Tablett
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 34.89000 | Fr. 34.89 |
| 10 | Fr. 26.16900 | Fr. 261.69 |
| 100 | Fr. 24.10000 | Fr. 2’410.00 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 34.89000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 37.71609 |
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