Name: GP3T016A120H
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GP3T016A120H-ND
Price: 11.1343 CHF
Availability: InStock

Neues Produkt

N-Kanal 1200 V 132 A (Tc) 484W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

GP3T016A120H
DigiKey-Teilenr.	1560-GP3T016A120H-ND
Hersteller	SemiQ
Hersteller-Teilenummer	GP3T016A120H
Beschreibung	GEN3 1200V, 16M SIC MOSFET, TO-2
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 132 A (Tc) 484W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	SemiQ
Serie	QSiC™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	132 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	23mOhm bei 50A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 20mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	260 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+22V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	6779 pF @ 1000 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	484W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-4
Gehäuse / Hülle	TO-247-4

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10	Fr. 7.18800	Fr. 71.88
100	Fr. 5.43310	Fr. 543.31
500	Fr. 5.12000	Fr. 2’560.00

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