
S1M1000170D | |
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DigiKey-Teilenr. | 1655-S1M1000170D-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | S1M1000170D |
Beschreibung | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1700V |
Standardlieferzeit des Herstellers | 12 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 1700 V 5,2 A (Tc) 81W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD |
Datenblatt | Datenblatt |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | - | |
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1700 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 20V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 1,3Ohm bei 2A, 20V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 500µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 10 nC @ 20 V | |
Vgs (Max.) | +25V, -10V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 160 pF @ 1000 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 81W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-247AD | |
Gehäuse / Hülle |
Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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1 | Fr. 3.04000 | Fr. 3.04 |
10 | Fr. 1.99400 | Fr. 19.94 |
300 | Fr. 1.21220 | Fr. 363.66 |
600 | Fr. 1.11923 | Fr. 671.54 |
1’200 | Fr. 1.04108 | Fr. 1’249.30 |
2’100 | Fr. 1.01170 | Fr. 2’124.57 |
Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 3.04000 |
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Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 3.28624 |