N-Kanal 1700 V 5,2 A (Tc) 81W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD
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S1M1000170D

DigiKey-Teilenr.
1655-S1M1000170D-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
S1M1000170D
Beschreibung
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1700V
Standardlieferzeit des Herstellers
12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1700 V 5,2 A (Tc) 81W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 500µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
10 nC @ 20 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
+25V, -10V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
160 pF @ 1000 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
81W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1700 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247AD
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
20V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,3Ohm bei 2A, 20V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 2.96000Fr. 2.96
10Fr. 1.94100Fr. 19.41
300Fr. 1.18037Fr. 354.11
600Fr. 1.08987Fr. 653.92
1’200Fr. 1.01376Fr. 1’216.51
2’100Fr. 0.98514Fr. 2’068.79
Standardverpackung des Herstellers
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