Name: S1M1000170J
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S1M1000170JTR-ND
Price: 4.51858 CHF
Availability: OutOfStock

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S1M1000170J
DigiKey-Teilenr.	1655-S1M1000170JTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1655-S1M1000170JCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 1655-S1M1000170JDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	SMC Diode Solutions
Hersteller-Teilenummer	S1M1000170J
Beschreibung	MOSFETS SILICON CARBIDES 1700V 1
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1700 V 5,8 A (Tc) 100W (Tc) Oberflächenmontage TO-263-7
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 500µA
Herst. SMC Diode Solutions	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 10 nC @ 20 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) +20V, -5V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 160 pF @ 1000 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 100W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1700 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 5,8 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263-7
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 20V	Gehäuse / Hülle TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,3Ohm bei 2A, 20V