Name: S2M0016120D-1
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S2M0016120D-1-ND
Price: 14.79889 CHF
Availability: InStock

N-Kanal 1200 V 140 A (Tc) 517W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

S2M0016120D-1
DigiKey-Teilenr.	1655-S2M0016120D-1-ND
Hersteller	SMC Diode Solutions
Hersteller-Teilenummer	S2M0016120D-1
Beschreibung	MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 140 A (Tc) 517W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	SMC Diode Solutions
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	140 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V, 20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	23mOhm bei 75A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,6V bei 23mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	285 nC @ 20 V
Vgs (Max.)	+20V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4540 pF @ 1000 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	517W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247AD
Gehäuse / Hülle	TO-247-3

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